次々世代パワー半導体AlNのトランジスタ動作に成功－日本電信電話（NTT） 「電力損失がSiの20分の1、NTTが次々世代パワー半導体AlNのトランジスタ動作に成功」（MONOist 4/25(月) 7:40配信）には、 「日本電信電話（NTT）は2022年4月22日、SiC（炭化シリコン）やGaN（窒化ガリウム）を上回る次々世代パワー半導体材料として期待されるAlN（窒化アルミニウム）を用いたトラン… トラックバック：0 コメント：0 2022年04月25日 続きを読むread more